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| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3053_10 | ISAHAYA | FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY, MEDIUM FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYP |
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| 2SC3053-12-1B | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053-12-1D | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053B | ISAHAYA | Transistor |
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| 2SC3053-T12-1C | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3054 | PANASONIC | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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