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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3053_10 | ISAHAYA |
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FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY, MEDIUM FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYP |
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| 2SC3053-12-1B | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053-12-1D | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053B | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SC3053-T12-1C | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3054 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC3055 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3055 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3056 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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| 2SC3056A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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