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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3053_10 | ISAHAYA |
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FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY, MEDIUM FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYP |
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| 2SC3053-12-1B | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053-12-1D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053B | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SC3053-T12-1C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3054 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC3055 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3055 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3056 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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| 2SC3056A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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