2SC3061

更新时间： 2024-09-17 07:30:39

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3061 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3061

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Ultra-fast switching

·Wide area of safe operation

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·Switching regulators

·Motor controls

·Ultrasonic oscillators

·Class C and D amplifiers

·Deflection circuits

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_C=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1200

850

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CP

Collector current-pulse

Base current

PW≤25μs,Duty cycle≤50%

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

175

-65~175

℃

T_j

T_stg

12 3

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