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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2884-Y(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89 |
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| 2SC2884-Y-HF | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC2884YTE12L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2884YTE12R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC2885 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SC2885-AZ | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2885K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
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| 2SC2885-K | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2885-K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2885L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
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