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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2893 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| 2SC2898 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2898 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SC2898 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2898 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SC2898 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| 2SC2899 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC2899 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC2899 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SC2901 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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