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2SC2893

更新时间： 2024-11-20 22:52:39

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2SC2893 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-XRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-XRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	22 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC2893 数据手册

2SC2893

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

The ASI 2SC2893 is Designed for

use in UHF amplifiers up to 400 MHz.

4 5°

FEATURES:

• P_OUT= 10.7 W Typical at 400 MHz

• Omnigold™ Metallization System

MAXIMUM RATINGS

1.5 A

I_C

# 8-3 2 U N C

M A X IM U M

M IN IM U M

55 V

V_CB

D IM

inches

m m

inches / m m

1 .0 1 0 / 25 .6 5

.2 2 0 / 5.59

.2 7 0 / 6.86

.0 0 3 / 0.08

.1 1 7 / 2.97

1 .0 5 5 / 26 .8 0

.2 3 0 /5 .8 4

32 V

V_CE

V_EB

P_DISS

T_J

.2 8 5 / 7.24

.0 0 7 / 0.18

.1 3 7 / 3.48

3.0 V

.5 7 2 / 1 4.53

.1 3 0 / 3.30

22 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

8.0 °C/W

.2 4 5 / 6.22

.2 5 5 / 6.48

.6 4 0 / 1 6.26

.1 7 5 / 4.45

.2 7 5 / 6.99

.2 1 7 / 5.51

.2 8 5 / 7.24

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 60 mA

I_C= 8.0 mA

BV_CEO

BV_CES

I_EBO

V_BE= 0 V

V_CE= 2.0 V

V_CB= 30 V

V_CE= 10 V

500

200

µA

---

I_CBO

I_C= 400 mA

h_FE

C_ob

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 400 MHz

V_CE= 28 V

7.9

10.7

P_out

P_IN= 0.63 W

η_c

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV 0

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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