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2SC2883YTE12R

更新时间： 2024-09-15 14:31:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	115K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2883YTE12R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	基于收集器的最大容量：	40 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2SC2883YTE12R 数据手册

2SC2883

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

2SC2883

Audio Frequency Amplifier Applications

Unit: mm

•

Suitable for output stage of 3 watts amplifier

Small flat package

= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)

Complementary to 2SA1203

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

1.5

0.3

500

Base current

Collector power dissipation

PW-MINI

JEDEC

1000

(Note 1)

―

Junction temperature

150

°C

JEITA

SC-62

2-5K1A

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm²× 0.8 t)

Weight: 0.05 g (typ.)

2004-07-07

12 3 4

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