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2SC2500-B

更新时间： 2024-10-04 19:57:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 145K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2500-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SC2500-B 数据手册

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2SC2500  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
2SC2500  
Strobe Flash Applications  
Unit: mm  
Medium-Power Amplifier Applications  
•
•
High DC current gain and excellent h  
linearity  
FE  
: h  
: h  
= 140 to 600 (V  
= 1 V, I = 0.5 A)  
FE (1)  
FE (2)  
CE C  
= 70 (min), 200 (typ.), (V  
= 1 V, I = 2 A)  
C
CE  
Low saturation voltage  
: V = 0.5 V (max) (I = 2 A, I = 50 mA)  
CE (sat)  
C
B
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
30  
30  
10  
6
CBO  
V
CES  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
V
JEDEC  
JEITA  
TO-92MOD  
DC  
I
2
C
―
Collector current  
A
Pulsed  
I
5
CP  
(Note 1)  
TOSHIBA  
2-5J1A  
Base current  
I
0.5  
900  
A
mW  
°C  
B
Weight: 0.36 g (typ.)  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
P
C
T
150  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-12-21  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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