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2SC2516L

更新时间： 2024-11-20 06:49:31

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Transistor

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2SC2516L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最大降落时间（tf）：	500 ns
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	3000 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
VCEsat-Max：	0.6 V

2SC2516L 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2516

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Low collector saturation voltage

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·Switching regulators

·DC-DC converters

·High frequency power amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

150

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

2.5

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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2SC2517K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB
2SC2517-K	RENESAS	获取价格	5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN
2SC2517-K	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast