5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 基于收集器的最大容量： | 600 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 250 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 12.2 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BLW77 | ASI |
功能相似  |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| SD1407 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2510A | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| 2SC2512 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
|
| 2SC2512RF | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| 2SC2512RR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| 2SC2512TZ | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC2516 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC2516 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC2516K | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC2516L | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC2516M | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
