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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC2412KP
2SC2412KP PDF预览

2SC2412KP

更新时间： 2024-11-04 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 186K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2412KP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.35Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

2SC2412KP 数据手册

 浏览型号2SC2412KP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SC2412-Q  
2SC2412-R  
2SC2412-S  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Power Dissipation: 0.2W (TA=25R)  
•
•
•
·
Collector Current: 0.15A  
Collector-base Voltage: 60V  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
SOT-23  
Maximum Ratings  
A
Symbol  
Rating  
Rating  
50  
Unit  
V
V
V
A
D
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
C
60  
7.0  
0.15  
B
C
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.2  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
E
B
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
H
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
Collector-Emitter Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Voltage  
(IC=50uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Voltage  
(IE=50uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=7.0Vdc, IC=0)  
50  
60  
7.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
K
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
---  
Vdc  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
---  
F
G
H
J
ON CHARACTERISTICS  
.085  
.37  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
DC Current Gain  
120  
---  
---  
560  
---  
Vdc  
K
(IC=1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Transition Frequency  
---  
---  
0.4  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
150  
MHz  
(VCE=12Vdc, IC=2.0mAdc,  
f=100MHz)  
.031  
.800  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Q
R
S
Range  
Marking  
120-270  
BQ  
180-390  
BR  
270-560  
BS  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 2  
12

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与2SC2412KP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2412KPT CHENMKO

获取价格

 		General Purpose Transistor
2SC2412KPTQ CHENMKO

获取价格

 		Transistor,
2SC2412KPTQGP CHENMKO

获取价格

 		暂无描述
2SC2412KPTR CHENMKO

获取价格

 		Transistor,
2SC2412KPTRGP CHENMKO

获取价格

 		Transistor,
2SC2412KPTS CHENMKO

获取价格

 		暂无描述
2SC2412KPTSGP CHENMKO

获取价格

 		暂无描述
2SC2412KQ ROHM

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-59
2SC2412KQ MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
2SC2412K-Q YANGJIE

获取价格

 		SOT-23-3L

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