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2SC2412KR

更新时间： 2024-09-25 20:17:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 610K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC2412KR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SC2412KR 数据手册

 浏览型号2SC2412KR的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SC2412K  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Power Dissipation: 0.2W (TA=25R)  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
•
•
Collector Current: 0.15A  
Collector-base Voltage: 60V  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
50  
60  
7.0  
0.15  
Unit  
V
V
V
A
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
SOT-23-3L  
A
D
C
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.2  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
B
C
E
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
E
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
Collector-Emitter Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Voltage  
(IC=50uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Voltage  
(IE=50uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=7.0Vdc, IC=0)  
50  
60  
7.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
H
G
J
K
---  
Vdc  
DIMENSIONS  
INCHES  
MAX  
.117  
MM  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
.113  
.108  
.061  
.036  
.073  
MIN  
2.87  
2.75  
1.55  
.925  
1.85  
.04  
1.12  
.14  
.34  
MAX  
2.97  
2.85  
1.65  
.975  
1.95  
.100  
1.25  
.17  
NOTE  
IEBO  
---  
.112  
.065  
.038  
.077  
.0039  
.049  
.007  
.015  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
DC Current Gain  
120  
---  
---  
560  
---  
Vdc  
.0016  
.044  
.006  
.013  
(IC=1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Transition Frequency  
(VCE=12Vdc, IC=2.0mAdc,  
f=100MHz)  
---  
---  
0.4  
---  
.37  
Suggested Solder  
Pad Layout  
150  
MHz  
.031  
.800  
.035  
.900  
CLASSIFICATION OF hFE  
.087  
2.200  
inches  
mm  
Rank  
Range  
Marking  
Q
R
S
120-270  
BQ  
180-390  
BR  
270-560  
BS  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2006/05/14  
1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2412K-R YANGJIE

获取价格

 		SOT-23-3L
2SC2412KR-G WEITRON

获取价格

 		Transistor
2SC2412KRGP CHENMKO

获取价格

 		Transistor,
2SC2412KRLT1 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2412KRP MCC

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General
2SC2412KS ROHM

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-59
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