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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2230Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR |
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| 2SC2230-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 |
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| 2SC2230-YTPE6 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| 2SC2231 | TOSHIBA |
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SC2231A | TOSHIBA |
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SC2233 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC2233 | MOSPEC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR(for TV horizontal deflection output applications) |
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| 2SC2233 | Wing Shing |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
|
| 2SC2233 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC2233 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220 |
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