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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 12 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2231A | TOSHIBA |
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SC2233 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC2233 | MOSPEC |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR(for TV horizontal deflection output applications) |
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| 2SC2233 | Wing Shing |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
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| 2SC2233 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC2233 | FOSHAN |
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TO-220 |
|
| 2SC2235 | UTC |
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AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| 2SC2235 | SECOS |
获取价格 |
NPN Silicon General Purpose Transistor |
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| 2SC2235 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (AUDIO POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SC2235 | LGE |
获取价格 |
双极型晶体管 |
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