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2SC2233

更新时间： 2024-02-15 15:56:01

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永盛 - Wing Shing		晶体放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
1页	68K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

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2SC2233 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	4 A	基于收集器的最大容量：	70 pF
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	140 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	40 W
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SC2233 数据手册

2SC2233

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

TO-220

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation (Tc=25℃)

Junction Temperature

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

P^C

T^j

200

℃

150

-50~150

Tstg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

I^CBO

I^EBO

h^FE1

V^CE(sat)

f^T

V^CB= 200V , I^E=0

V^EB= 7V , I^C=0

V^CE= 5V , I^C=1A

100

150

1.0

µA

Collector- Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

I^C=3A ,

I^B=0.3A

M^HZ

V^CE= 5V , I^C=0.5A

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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