Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> 2SC1946A

2SC1946A

更新时间： 2025-08-19 07:30:31

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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2SC1946A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	100 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC1946A 数据手册

2SC1946A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The 2SC1946A is Designed for

12.5 V 175 MHz Large-Signal Power

Amplifier Applications.

PACKAGE STYLE .380" 4L FLG

.112 x 45°

FEATURES INCLUDE:

• High Common Emitter Power Gain

• Output Power = 30 W

Ø.125 NOM.

FULL R

.125

MAXIMUM RATINGS

8.0 A

16 V

I_C

V_CE

V_CB

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

36 V

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

100 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.75 °C/W

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

T_STG

θ_JC

.240 / 6.10

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 15 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

4.0

5.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

150

C_ob

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

100

G_PE

V_CC= 12.5 V

P_out= 30 W

V_CC= 15.5 V

P_IN= 2.0 dB Overdrive

No Degradation in Power Output

Load VSWR = 30:1 ALL PHASE ANGLES

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC1947	MITSUBISHI	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for industrial use RF power amplifiers on VHF band Mobile radio
2SC1947	NJSEMI	获取价格	HIGH POWER TRANSISTOR SILICON NPN
2SC1953	PANASONIC	获取价格	SI PNP EPITAXIAL PLANAR
2SC1953	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC1953	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC19530S	PANASONIC	获取价格	元器件封装:TO-126B-A1;
2SC1953Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126
2SC1953R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126
2SC1953S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126
2SC1953T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126

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