5秒后页面跳转
2SC1953 PDF预览

2SC1953

更新时间: 2024-11-23 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
SI PNP EPITAXIAL PLANAR

2SC1953 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):130JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

2SC1953 数据手册

 浏览型号2SC1953的Datasheet PDF文件第2页 

与2SC1953相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC1953Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
2SC1953R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
2SC1953S ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
2SC1953T ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
2SC1955 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 17V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-39
2SC1959 WINNERJOIN

获取价格

Audio frequency power amplifier
2SC1959 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS)
2SC1959 SECOS

获取价格

NPN Plastic Encapsulated Transistor
2SC1959 TGS

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SC1959 TRSYS

获取价格

Plastic-Encapsulated Transistors