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2SC1959

更新时间： 2024-11-25 14:55:59

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	701K
描述
双极型晶体管

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2SC1959 技术参数

极性：		Collector-emitter breakdown voltage：	30
Collector Current - Continuous：	0.5	DC current gain - Min：	#
DC current gain - Max：		Transition frequency：
Package：	TO-92	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

2SC1959 数据手册

2SC1959(NPN)

TO-92 Bipolar Transistors

1. EMITTER

COLLECTOR

TO-92

3. BASE

Features

ꢀ

Excellent h_FElinearlity

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current –Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

0.5

P_C

500

150

-55-150

T_J

℃

Dimensions in inches and (millimeters)

T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= 100µA, I_E=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 1mA , I_B=0

I_E= 100µA, I_C=0

V_CB= 35V, I_E=0

0.1

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 5 V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=1 V, I_C= 100mA

V_CE=6 V, I_C= 400mA

I_C= 100mA, I_B= 10mA

V_CE= 1V, I_C= 100mA

V_CE= 12V, I_C=2mA

V_CB=6V,I_E=0,f=1MHz

400

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

0.25

1.0

Transition frequency

f _T

300

MHz

Collector output capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE

C_ob

Rank

h_FE(1)

h_FE(2)

70-140

25(min)

120-240

40(min)

200-400

Range

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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