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2SC1195_2014

更新时间： 2024-02-29 19:16:23

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	148K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1195_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1195

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High power dissipation

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For line operated audio output amplifier and

switching power supply drivers applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

200

UNIT

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

200

Open collector

2.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC1199	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-39
2SC1200	TOSHIBA	获取价格	MICRO TRANSISTER
2SC1209	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC1211	ETC	获取价格	TRANSISTOR
2SC1212	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC1212	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC1212	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC1212	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC1212	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-126 Mod