2SC1212

更新时间： 2024-01-21 10:00:46

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC1212 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz

2SC1212 数据手册

2SC1212, 2SC1212A

Silicon NPN Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier

Outline

TO-126 MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SC1212

2SC1212A

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Collector power dissipation

P_C

P_C*¹

0.75

°C

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Note: 1. Value at T_C= 25°C

12 3 4 5

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