是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.35 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 35 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 0.6 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC1213_11 | SECOS |
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General Purpose Transistor | |
2SC1213|2SC1213A | ETC |
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2SC1213A | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial | |
2SC1213A | MICRO-ELECTRONICS |
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SILICON TRANSISTOR | |
2SC1213A | SECOS |
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NPN Silicon General Purpose Transistor | |
2SC1213A | TRSYS |
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Plastic-Encapsulated Transistors | |
2SC1213A | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial | |
2SC1213A | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (NPN) | |
2SC1213A | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, | |
2SC1213A | CJ |
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TO-92 |