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2SC1195

更新时间： 2024-02-14 17:52:21

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1195 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1195 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1195

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High power dissipation

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For line operated audio output amplifier and

switching power supply drivers applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

200

UNIT

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

200

Open collector

2.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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