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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1173_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1173_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1173O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power |
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| 2SC1173Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power |
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| 2SC1175 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC1175 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-92, BIP General Purpose Small Sig |
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| 2SC1185 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1185 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1187 | ETC |
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TV 1ST 2ND PICTURE IF AMPLIFIER |
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| 2SC1195 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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