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2SC1170_2014

更新时间： 2024-11-03 01:17:31

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1170_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1170

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

APPLICATIONS

·Designed for use in large screen color

deflection circuits

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1200

500

UNIT

Open base

Open collector

3.5

I_B

Base current

1.0

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

2.5

℃/W

12 3

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