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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.88 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB902P | PANASONIC |
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Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB902Q | PANASONIC |
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Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB902R | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB902S | PANASONIC |
获取价格 |
Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB902T | PANASONIC |
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Si PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SB903 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB903 | SANYO |
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30V/12A High-Speed Switching Applications |
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| 2SB903 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB903 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB903 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 30V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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