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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 基于收集器的最大容量： | 40 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB810-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB810E | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB810-E | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB810E-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SB810F | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB810F-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB810H | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB810H-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB810J | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB810J-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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