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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB810M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB810-M | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB810M-A | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB811 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811E | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811F | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811H | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811J | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB812 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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