5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB647L-X-T9N-B | UTC |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL |
|
| 2SB647L-X-T9N-K | UTC |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL |
|
| 2SB647RF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB647RR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB647T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
|
| 2SB647TZ | HITACHI |
获取价格 |
1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB648 | HITACHI |
获取价格 |
LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER |
|
| 2SB648A | HITACHI |
获取价格 |
LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER |
|
| 2SB648AB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB648AC | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
