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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB648A | HITACHI |
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LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER |
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| 2SB648AB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB648AC | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB648AD | ETC |
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BJT |
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| 2SB648B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB648C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB648D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB649 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB649 | TRSYS |
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TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
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| 2SB649 | UTC |
获取价格 |
BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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