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2SB647L-BP

更新时间： 2024-11-19 19:55:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 287K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SB647L-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

2SB647L-BP 数据手册

 浏览型号2SB647L-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SB647L  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
•
•
•
·
·
Low Frequency Power Amplifier  
Complementary Pair with 2SD667  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
x
TO-92L  
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-80  
-120  
-5.0  
V
V
V
A
Collector Current  
-1  
PC  
RthJA  
TJ  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
750  
167  
-55 to +150  
mW  
oC/W  
R
TSTG  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
B
C
E
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc,IE=0)  
-120  
-80  
-5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc,IB=0)  
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc,IC=0)  
---  
---  
Vdc  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-100Vdc, IE=0)  
---  
-10  
uAdc  
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
INCHES  
MAX  
.161  
MM  
hFE  
DC Current gain(1)  
(IC=-150mAdc, VCE=-5Vdc)  
(IC=-500mAdc, VCE=-5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
Base- Emitter Voltage  
(IC=-150mAdc, VCE=-5Vdc)  
Transistor Frequency  
60  
---  
320  
---  
DIM  
A
MIN  
.146  
.157  
---  
MIN  
MAX  
NOTE  
3.700  
4.000  
4.10  
---  
30  
---  
B
---  
VCE(sat)  
VBE  
fT  
---  
---  
-1.0  
-1.5  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
C
D
E
0.063  
.018  
.062  
.201  
.323  
.559  
.031  
---  
1.600  
.014  
.050  
.185  
.307  
.543  
.024  
0.350  
1.280  
4.700  
0.450  
1.580  
5.100  
---  
---  
---  
F
G
H
J
7.800  
13.80  
.600  
8.200  
14.20  
.800  
140  
20  
(IC=-150mAdc, VCE=-5Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=-10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Cob  
---  
0.350  
.550  
K
L
.014  
.022  
1.270  
.050  
M
.096  
.104  
2.440  
2.640  
(1) hFEClassification B: 60~120, C: 100~200,D:160~320  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2012/11/16  
12

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与2SB647L-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB647L-B-T9N-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB647L-C-T9N-B UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB647L-X-T9N-B UTC

获取价格

 		SILICON PNP EPITAXIAL
2SB647L-X-T9N-K UTC

获取价格

 		SILICON PNP EPITAXIAL
2SB647RF HITACHI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB647RR HITACHI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB647T FOSHAN

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 		SOT-89
2SB647TZ HITACHI

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 		1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB648 HITACHI

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 		LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
2SB648A HITACHI

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 		LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER

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