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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.41 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB647A-C | WEITRON |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SB647A-C | RENESAS |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB647AC(TO-92MOD) | CJ |
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Transistor |
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| 2SB647A-C-AP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, R |
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| 2SB647ACTZ | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD |
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| 2SB647ACTZ | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SB647ACTZ-E | RENESAS |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB647ARF | HITACHI |
获取价格 |
1000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB647ARR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB647AT | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
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