2SB647CTZ-E

更新时间： 2024-11-19 06:19:27

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Silicon PNP Epitaxial

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2SB647CTZ-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SC-51, TO-92 MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

2SB647CTZ-E 数据手册

2SB647, 2SB647A

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0648-0200

(Previous ADE-208-1025)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD667/A

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SB647

–120

–80

–5

2SB647A

Unit

–120

–100

–5

–1

–2

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

i_C(peak)

P_C

–2

0.9

°C

150

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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