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2SB647B

更新时间： 2024-01-03 03:52:28

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
Transistor

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2SB647B 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	TO-92MOD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.11
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SB647B 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92MOD

2SB647/2SB647A TRANSISTOR (PNP)

FEATURE

1. EMITTER

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

0.9 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-1

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

120 V

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V_(BR)CBO

-120

Ic= -10µA , I_E=0

Collector-emitter breakdown voltage 2SB647

-80

-100

V_(BR)CEO

I_C=-1mA , I_B=0

2SB647A

Emitter-base breakdown voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

-5

I_E= -10µA, I_C=0

Collector cut-off current

V_CB= -100 V, I_E=0

-10

µA

2SB647

2SB647A

320

200

h_FE(1)*

V_CE=-5 V, I_C= -150mA

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=-5 V, I_C= -500mA

I_C=-500mA, I_B=-50mA

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CEsat

-1

_CE=-5V, I_C= -150mA

140

MHz

f_T

V_CE=-10V, I_E=0

f=1 MHz

Output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

2SB647

60-120

100-200

160-320

Range

2SB647A

12 3

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