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2SB1644T100E

更新时间： 2024-11-11 20:02:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 48K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, SC-83A, 3 PIN

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2SB1644T100E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-83A
包装说明：SC-83A, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12 MHz
Base Number Matches：1

2SB1644T100E 数据手册

  
2SB1644  
Transistors  
Power Transistor (−80V, −4A)  
2SB1644  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Low saturation voltage.  
CE(sat)  
13.1  
3.2  
C
B
(Typ. V  
= −0.5V at I / I = −3A / −0.3A)  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
8.8  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−80  
−80  
−5  
−4  
−6  
30  
V
V
0.5Min.  
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W (Tc = 25°C)  
°C  
Collector current  
I
C
( )  
1 Base  
ROHM : PSD3  
EIAJ : SC-83A  
*
( )  
2 Collector  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
( )  
3 Emitter  
Tj  
150  
Tstg  
−55~+150  
°C  
Single pulse, Pw = 100ms  
*
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SB1644  
PSD3  
EF  
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
T100  
1000  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−80  
−60  
−5  
−
−
−
−
100  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
12  
100  
−
−
−
−10  
−10  
−1.5  
−1.5  
320  
−
V
V
I
I
I
C
C
E
= −50µA  
= −1mA  
= −50µA  
CB = −80V  
EB = −4V  
V
µA  
µA  
V
V
V
I
CBO  
Emitter cutoff current  
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
I
I
C
/I  
B
= −3A/−0.3A  
= −3A/−0.3A  
= −5V/−1A  
CE = −5V , I = 0.5A , f = 5MHz  
CB = −10V , I = 0A , f = 1MHz  
V
CE(sat)  
*
*
V
C/I  
B
V
BE(sat)  
hFE  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
E
*
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
Measured using pulse current.  
*
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1644TLE ROHM

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