5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB1651R
2SB1651R PDF预览

2SB1651R

更新时间： 2024-11-11 20:30:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 166K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1651R 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.92
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：55 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB1651R 数据手册

 浏览型号2SB1651R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1651R的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB1651  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency and low-noise amplification  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
■
●
Low noise voltage NV.  
●
High foward current transfer ratio hFE  
.
●
M type package allowing easy automatic and manuainsertin as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit boa.  
0.45+–00..015  
Absolute Maximum Ratings (Ta25˚C
■
2.5±0.5 2.5±0.5  
1
2
3
Parameter  
Symbol  
V
VE
ICP  
Ratins  
–55  
Uit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector curret  
Collector current  
–55  
V
–5  
V
1:Emitter  
–00  
0  
mA  
mA  
mW  
˚C  
2:Collector  
3:Base  
IC  
MT1 Type Package  
Collector powr dissiation  
Junctiotmperare  
Stoge teture  
PC  
400  
Tj  
0  
Tstg  
~ +150  
˚C  
Electrical Chaacterisics (Ta=25˚C)  
■
ramer  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
nA  
µA  
V
VCB = –10V, IE = 0  
–100  
–1  
Crent  
ICEO  
VCE = –10V, IB = 0  
Collectovoltage  
Collector to emitter voltag
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–55  
–55  
–5  
IC = –2mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*1  
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = –5V, IC = –2mA  
IC = –100mA, IB = –10mA  
VCE = –1V, IC = –100mA  
180  
700  
– 0.6  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
V
Base to emitter voltage  
VBE  
NV  
fT  
VCE = –10V, IC = –1mA, GV = 80dB,  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
Noise voltage  
110  
150  
mV  
Transition frequency  
VCB = –5V, IE = 2mA, f = 200MHz  
MHz  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
R
S
T
180 ~ 360  
260 ~ 520  
360 ~ 700  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SB1651R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1651S PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
2SB1651T PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
2SB1653 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP triple diffusion planar type(For power switching)
2SB1653P PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT3, 3
2SB1653Q PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT3, 3
2SB1655 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1655 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1655 ROHM

获取价格

 		Power Transistor (-60V, -3A)
2SB1655 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1655_15 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

与2SB1651R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证