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2SB1655

更新时间: 2024-11-10 22:52:39
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
Power Transistor (-60V, -3A)

2SB1655 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-220FN包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.74最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHzBase Number Matches:1

2SB1655 数据手册

  
2SB1370  
2SB1655 / 2SB1565  
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