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2SB1649Y

更新时间： 2024-11-11 20:32:15

品牌	Logo	应用领域
急速微 - ALLEGRO		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	24K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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2SB1649Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.41	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	15000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	45 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1649Y 数据手册

(70Ω)

Darlington 2 S B1 6 4 9

Equivalent circuit

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2561)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

2SB1649

Conditions

Unit

µA

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Unit

±0.2

5.5

±0.2

15.6

I^CBO

–100max

–150min

5000min

–2.5max

–3.0max

45typ

V^CB=–150V

±0.2

–150

3.45

IEBO

V^EB=–5V

–150

V(BR)CEO

hFE

I^C=–30mA

–5

±0.2

ø3.3

V^CE=–4V, IC=–10A

I^C=–10A, IB=–10mA

V^CE=–12V, IE=2A

V^CB=–10V, f=1MHz

–15

VCE(sat)

VBE(sat)

–1

85(Tc=25°C)

150

°C

MHz

1.75

2.15

0.8

COB

320typ

Tstg

–55 to +150

+0.2

-0.1

1.05

hFE Rank O(5000 12000), P(6500 20000), Y(15000 30000)

+0.2

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

1.5

4.4

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

R^L

I^C

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

ton

tstg

(Ω)

(A)

(V)

(mA)

(µs)

(mA)

–40

–10

0.7typ

1.6typ

1.1typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

–50mA

–10mA

–3mA

(VCE=–4V)

–1.5mA

–15

–10

–5

–3

–10

–5

–2

IC=–5A

–1

–2

–4

–6

–0.2 –0.5 –1

–5 –10

–50 –100 –200

–1

–2

–3

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

50,000

50000

125˚C

Typ

25˚C

–30˚C

10000

10,000

5,000

0.5

5000

1000

–0.2

1,000

–0.2

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.5

–1

–5

–10 –15

–0.5

–1

Collector Current I^C(A)

–5

–10 –15

Collector Current IC(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

100

Without Heatsink

3.5

0.02 0.05 0.1

0.5

100

125

150

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB1651R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
2SB1651S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
2SB1651T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
2SB1653	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP triple diffusion planar type(For power switching)
2SB1653P	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT3, 3
2SB1653Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT3, 3
2SB1655	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1655	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1655	ROHM	获取价格	Power Transistor (-60V, -3A)

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