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2SB1628-ZX-AZ

更新时间： 2024-11-11 14:48:43

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瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	125K
描述
3A, 16V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SB1628-ZX-AZ 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	140
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	320 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1628-ZX-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SB1628

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SB1628 features high current capacity in small dimension

and is ideal for DC/DC converters and mortor drivers.

FEATURES

•

High current capacitance

Low collector saturation voltage

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to

know the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

Electrode connection

1: Emitter

2: Collector (fin)

3: Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Conditions

Ratings

−20

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

−16

V^CEO

−6.0

−3.0

−5.0

V^EBO

I^C(DC)

PW ≤ 10 ms

I^C(pulse)

Duty cycle ≤ 50 %

−0.2

−0.4

Base current (DC)

I^B(DC)

PW ≤ 10 ms

Base current (pulse)

I^B(pulse)

Duty cycle ≤ 50 %

16 cm²× 0.7 mm ceramic board used

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

T^j

2.0

150

°C

−55 to +150

T^stg

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16148EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1628ZX-T1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243
2SB1628ZX-T1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243
2SB1628ZX-T2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243
2SB1628ZX-T2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243
2SB1628ZY	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 16V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-243
2SB1628-ZY	RENESAS	获取价格	3A, 16V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1628-ZY	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1628-ZY-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 16V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1628ZY-T1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243
2SB1628ZY-T1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,16V V(BR)CEO,3A I(C),TO-243

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