2SB1574R

更新时间： 2024-11-12 13:04:11

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松下 - PANASONIC		/
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1页	31K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, U-G2, 3 PIN

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2SB1574R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1574R 数据手册

Power Transistors

2SB1574 (Tentative)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

6.5±0.1

5.3±0.1

4.35±0.1

2.3±0.1

For low-frequency output amplification

0.5±0.1

Features

■

1.0±0.1

0.1±0.05

0.93±0.1

●

Possible to solder radiation fin directly to printed cicuit boad

0.5±0.1

0.75±0.1

●

Type with universal characteristics

2.3±0.1

4.6±0.1

●

Collector breakdown voltage: V_CBO/V_CEO= –50V

●

Collector current: I_C= –2A

1:Base

2:Collector

3:Emitter

U Type Package

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Unit: mm

6.5±0.2

5.35

4.35

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–50

–5

0.75

0.6

–3

2.3 2.3

I_C

–2

Collector power dissipation (T_C=25°C)

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

0.5±0.1

T_j

150

1:Base

T_stg

–55 to +150

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–63

U Type Package (Z)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CB= –10V, I_E= 0

I_C= –10µA, I_E= 0

_C= –1mA, I_B= 0

– 0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

–50

–5

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= –2V, I_C= –200mA

120

340

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –1A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –1A, I_B= –50mA

– 0.2

– 0.85

– 0.3

–1.2

I_C= –1A, I_B= –50mA

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

120 to 240 170 to 340

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB1574S	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB1574-S	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1578	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SB1578-AZ	NEC	获取价格	5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1578GB1	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-243VAR
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2SB1578GB1-T2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-243VAR

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