2SB1571

更新时间： 2024-11-11 22:52:39

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日电电子 - NEC		晶体晶体管
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描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SB1571 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

2SB1571 数据手册

DATA SHEET

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

2SB1571

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

FEATURES

• Low V^CE(sat): V^CE(sat)1≤ −0.35 V

• Complementary to 2SD2402

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

I^B(DC)

I^B(pulse)

P^T

−50

−30

−6.0

−5.0

−8.0

−0.2

−0.4

2.0

150

°C

0.42

±0.06

0.42

±0.06

Collector Current (pulse) ^Note1

Base Current (DC)

1.5

0.47

±0.06

3.0

+0.03

0.41

–0.05

Base Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation ^Note2

E: Emitter

C: Collector (Fin)

B: Base

Junction Temperature

T^j

Storage Temperature Range

Notes 1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

T^stg

–55 to + 150

2. When mounted on ceramic substrate of 16 cm²x 0.7 mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTICS

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

SYMBOL

I^CBO

TEST CONDITIONS

V^CB= −50 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

−100

UNIT

−

I^EBO

V^EB= −6.0 V, I^C= 0

Note

DC Current Gain

h^FE1

h^FE2

V^BE

V^CE= −1.0 V, I^C= −1.0 A

V^CE= −1.0 V, I^C= −2.0 A

V^CE= −1.0 V, I^C= −0.1 A

I^C= −3.0 A, I^B= −0.15 A

I^C= −5.0 A, I^B= −0.25 A

I^C= −3.0 A, I^B= −0.15 A

V^CE= −10 V, I^E= 0.5 A

100

−0.6

200

−0.665

−0.17

−0.28

−0.89

150

400

−0.7

−

Note

Base to Emitter Voltage

Note

Collector Saturation Voltage

V^CE(sat)1

V^CE(sat)2

V^BE(sat)

f^T

−0.35

−0.55

−1.2

Note

Base Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Turn-on Time

MHz

C^ob

V^CB= −10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

I^C= −2.0 A, V^CC= −10 V,

100

t^on

265

Storage Time

t^stg

R^L= 5.0 Ω, I^B1= −I^B2= −0.1 A,

350

Fall Time

t^f

Note Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

h^FECLASSFICATION

Marking

h^FE2

160 to 320

100 to 200

200 to 400

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

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Document No.

Date Published December 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D15930EJ2V0DS00 (2nd edition)

2001

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