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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1572-HY-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1572HZ | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-243 |
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| 2SB1572-HZ | RENESAS |
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3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1572-HZ-AZ | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1572-X | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1572-Y | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1572-Z | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1573 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1574 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification) |
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| 2SB1574 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial Planar Type |
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