Datasheet > 2SB1430-L-AZ

2SB1430-L-AZ

更新时间： 2024-01-27 19:46:43

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1430-L-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.21
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1430

TYPICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Case Temperature T^C(°C)

Single pulse

Collector to Emitter Voltage V^CE(V)

Without heatsink

With infinite heatsink

Pulse Width PW (s)

Data Sheet D13660EJ1V0DS

1 234 5 6

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB1430M	NEC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220VAR	获取价格
2SB1430-M	RENESAS	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	获取价格
2SB1430-M-AZ	NEC	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SB1430-M-AZ	RENESAS	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	获取价格
2SB1431	NEC	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER	获取价格
2SB1431	RENESAS	SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格