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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1218ATX
2SB1218ATX PDF预览

2SB1218ATX

更新时间： 2024-11-20 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SB1218ATX 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SB1218ATX 数据手册

 浏览型号2SB1218ATX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1218ATX的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB1218A  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1819A  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–45  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
0.2±0.1  
–45  
V
–7  
V
–200  
–100  
150  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S-Mini Type Package  
IC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Marking symbol : B  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–0.1  
–100  
Unit  
µA  
µA  
V
VCB = –20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –10V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–45  
–45  
–7  
IC = –2mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = –10V, IC = –2mA  
IC = –100mA, IB = –10mA  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
160  
460  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
– 0.3  
80  
– 0.5  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
Collector output capacitance  
Cob  
2.7  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
Q
R
S
160 ~ 260  
BQ  
210 ~ 340  
BR  
290 ~ 460  
BS  
Marking Symbol  
1
123

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与2SB1218ATX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1218AW BL Galaxy Electrical

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 		PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SB1218G PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SB1218GQ PANASONIC

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