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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1218G
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2SB1218G

更新时间： 2024-11-18 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SB1218G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SB1218G 数据手册

 浏览型号2SB1218G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1218G的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB1218A  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1819A  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–45  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
0.2±0.1  
–45  
V
–7  
V
–200  
–100  
150  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S-Mini Type Package  
IC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Marking symbol : B  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–0.1  
–100  
Unit  
µA  
µA  
V
VCB = –20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –10V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–45  
–45  
–7  
IC = –2mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = –10V, IC = –2mA  
IC = –100mA, IB = –10mA  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
160  
460  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
– 0.3  
80  
– 0.5  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
Collector output capacitance  
Cob  
2.7  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
Q
R
S
160 ~ 260  
BQ  
210 ~ 340  
BR  
290 ~ 460  
BS  
Marking Symbol  
1
123

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与2SB1218G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1218GQ PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SB1218G-Q PANASONIC

获取价格

 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
2SB1218GS PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SB1218G-S PANASONIC

获取价格

 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
2SB1218H PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1219 KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB1219 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1219 TYSEMI

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 		Large collector current IC. Collector-base voltage VCBO -30 V
2SB1219/2SB1219A ETC

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 		2SB1219. 2SB1219A - PNP Transistor
2SB1219_15 KEXIN

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 		PNP Transistors

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