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2SB1192_2014

更新时间： 2024-02-22 06:19:00

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	169K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1192_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1192

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High V_CEO

·Large P_C

·Complement to type 2SD1770

APPLICATIONS

·Power amplifier

·TV vertical deflection output

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

-200

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-150

Open collector

-6

-1

I_CM

Collector current-peak

-2

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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2SB1192AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 180V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-186
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