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2SB1193

更新时间： 2024-09-22 21:55:19
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松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
For Midium-Speed Power Switching

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2SB1193 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SB1193 数据手册

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Power Transistors  
2SB1193  
Silicon PNP epitaxial planar type darlington  
Unit: mm  
For midium-speed power switching  
Complementary to 2SD1773  
10.0 0.2  
5.5 0.2  
4.2 0.2  
2.7 0.2  
φ 3.1 0.1  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
• High-speed switching  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw  
1.3 0.2  
1.4 0.1  
+0.2  
–0.1  
0.5  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.8 0.1  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
2.54 0.3  
5.08 0.5  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−120  
1: Base  
−120  
V
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-67  
−7  
V
1
2 3  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−8  
A
TO-220F-A1 Package  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−12  
A
Internal Connection  
50  
W
Ta = 25°C  
2
C
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
B
Tstg  
−55 ∼ +150  
E
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−120  
−7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter sustaining voltage * VCEO(SUS) IC = −2 A, L = 10 mH  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
IE = −50 mA, IC = 0  
VCB = −120 V, IE = 0  
VCE = −100 V, IB = 0  
VCE = −3 V, IC = −4 A  
V
−100  
−10  
µA  
µA  
V
1000  
20 000  
−1.5  
−3.0  
−2.0  
−3.5  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)1 IC = −4 A, IB = −8 mA  
VCE(sat)2 IC = −8 A, IB = −80 mA  
VBE(sat)1 IC = −4 A, IB = −8 mA  
VBE(sat)2 IC = −8 A, IB = −80 mA  
Base-emitter saturation voltage  
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 1 MHz  
15  
0.7  
3.5  
2.0  
MHz  
µs  
IC = −4 A, IB1 = −8 mA, IB2 = 8 mA  
VCC = −50 V  
µs  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : VCEO(SUS) test circuit  
*
50 Hz/60 Hz  
mercury relay  
X
L
Y
120 Ω  
1 Ω  
6 V  
15 V  
G
Publication date: February 2003  
SJD00059AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast

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