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2SB1193_15

更新时间： 2024-09-24 01:16:47

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1193_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1193

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·High speed switching

·DARLINGTON

·Complement to type 2SD1773

APPLICATIONS

·For medium speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-7

UNIT

Open base

Open collector

-8

I_CM

Collector current-peak

-12

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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