2SB1194

更新时间： 2024-02-13 16:55:31

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1194 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1500	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SB1194 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1194

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·High speed switching

·DARLINGTON

·Complement to type 2SD1633

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-100

-7

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-5

I_CM

Collector current-peak

Base current

-8

I_B

-0.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1194相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1194_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1194_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1194P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SB1194Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SB1195	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2SB1197	SECOS	获取价格	PNP Epitaxial Planar Transistor
2SB1197	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR(PNP)
2SB1197	MCC	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SB1197	LGE	获取价格	双极型晶体管
2SB1197	CJ	获取价格	SOT-23