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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1189 | TYSEMI |
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High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and high current, IC=-0.7A. |
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| 2SB1189 | ROHM |
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MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1189 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SB1189 | KEXIN |
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Medium Power Transistor |
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| 2SB1189 | LGE |
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双极型晶体管 |
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| 2SB1189 | CJ |
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SOT-89-3L |
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| 2SB1189 | BL Galaxy Electrical |
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80V,0.7A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| 2SB1189 | FOSHAN |
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SOT-89 |
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| 2SB1189_10 | ROHM |
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Medium power transistor(-80V, -0.7A) |
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| 2SB1189_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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