5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1182F5/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1182F5/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1182GP | CHENMKO |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2SB1182G-Q-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2SB1182G-Q-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1182G-R-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1182G-X-AB3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| 2SB1182G-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| 2SB1182G-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| 2SB1182L-Q-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
